硅智財供貨商力旺電子(eMemory)與全球半導體晶圓制造領導廠商聯華電子今(28)日宣布，力旺的可變電阻式內存(RRAM)硅智財已通過聯電22奈米超低功耗的可靠度驗證，為聯電的AIoT與行動通訊應用平臺提供更多元的嵌入式內存解決方案，未來雙方也將持續合作開發車用規格的RRAM。

力旺電子提供的8Mb RRAM IP具有額外的16Kb信息儲存區塊和內部修復與錯誤偵測/修正等關鍵功能，可用于IoT設備中的微控制器和智能電源管理IC的編碼儲存，還可以支持人工智能之內存內運算架構。聯電提供22奈米的0.8V/2.5V RRAM平臺，使用較少的光罩層數、較短的生產周期和更容易與BCD、高壓等特殊制程整合的優勢。

「對40奈米、22奈米和高階制程而言，RRAM是不可或缺的多次編程嵌入式內存選項。力旺的下一個RRAM開發目標是對應汽車應用需求，在22奈米 0.8V/2.5V 平臺實現更高的儲存密度(16Mb)、更快的速度、更高的寫入溫度耐受度和持續提升的覆寫能力?！沽ν娮蛹夹g長暨第二事業群總經理林慶源表示：「此外，我們繼續推進在0.8V/1.8V ULP上的開發。憑借其用于讀取和寫入模式的低工作電壓，力旺的RRAM將成為主流技術平臺上最具成本效益的eFlash解決方案，并可擴展至更多制程節點?！?/p>

聯電技術開發部副總經理徐世杰表示：「隨著AIoT應用不斷地拓展，市場對低功耗非揮發性內存的需求逐漸增加。力旺電子的IP成功的在聯電22奈米RRAM平臺完成驗證，為客戶在開發下一代產品時提供更強大的內存解決方案。聯電致力于提供多元和差異化的特殊制程技術，我們很高興與力旺電子合作，持續強化AIoT與車用市場的嵌入式內存方案?！?/p>

力旺電子的RRAM IP具有一萬次覆寫能力和長達10年的數據保留，并可承受高達105度的高溫。為了方便用戶，這款RRAM IP設計具備友善的接口、完整的用戶模式和測試模式，并可在0.8V/2.5V標稱雙電壓接口下進行編程。RRAM不需對前端制程做額外調整，并采用低溫后端制程，幾乎不會產生額外的熱預算，因此備受市場期待。與分離閘閃存(split-gate Flash)相比，RRAM具有相對簡單的結構、使用較少層的光罩、較友善的制程和更高的CMOS制程兼容性。在對性能要求相對嚴格的汽車應用中，RRAM與MRAM相比，具有更佳的抗磁能力。(更多技術特性介紹請參考 eMemory's website)

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