聯華電子今(2)日發布領先業界的28奈米嵌入式高壓 (eHV) 制程之最新加強版28eHV+平臺。28eHV+平臺可提供更高功效及更高質量的視覺效果，是下一代智能手機、VR/AR設備及物聯網使用的最佳顯示器驅動IC解決方案。

相較于聯電現有的28奈米eHV制程，新的28eHV+解決方案可在不影響圖像畫質或數據速率的前提下，降低耗能達15%。除了滿足節省電池用電的需求外，28eHV+還更精確的電壓控制優化功能，提供設計工程師設計時更大的靈活性。

聯電技術研發副總經理徐世杰表示：「我們很高興推出嶄新的28eHV+平臺，目前已有幾家客戶在洽談中，并計劃于2023年上半年投入量產。身為晶圓特殊制程的領導者，聯電提供差異化的解決方案，配合客戶的產品藍圖，與客戶一起掌握市場快速成長的機會。繼發布28eHV+平臺后，我們的研發團隊將致力于將顯示器驅動IC解決方案擴展到22奈米及以下制程?！?/p>

聯電的28eHV+技術采用了業界最小的SRAM單元，進而縮減了芯片面積。此平臺奠基于聯電領先的28奈米后閘極高介電系數金屬閘極 (28nm Gate-last High-K/Metal Gate) 技術，具有卓越的低漏電和動態功率性能。

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