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  • 聯華電子宣布推出40納米SST嵌入式閃存制程

    東芝MCU 芯片預期將采用此堅實的非揮發性內存制程


    發表日期:2017-12-21

    聯華電子今( 21日)宣布,該公司推出40納米結合Silicon Storage Technology(SST)嵌入式SuperFlash?非揮發性內存的制程平臺。新推出的40nm納米SST嵌入式快閃記憶,較量產的55納米單元尺寸減少20%以上,并使整體內存面積縮小了20-30%。東芝電子組件&存儲產品公司已開始評估其微處理器(MCU)芯片于聯華電子40納米SST技術平臺的適用性。


    東芝電子組件&存儲產品公司混合信號芯片部門副總松井俊也表示:「我們期待采用聯華電子40納米SST技術有助于提升我們MCU產品的性能。與聯電合作,透過穩定的制造供應及配合我們的生產需求提供靈活的產能,亦將使我們能夠保持強勁的業務連續性計劃 (BCP)?!?/p>

    已有超過20個客戶和產品正以聯華電子55納米SST嵌入式閃存制程進行各階段的生產,包含了SIM卡,金融交易,汽車,物聯網,MCU及其他應用產品。


    聯華電子特殊技術組織協理丁文琪表示:「自2015年提供55納米SST嵌入式閃存成為主流技術以來,我們一直受到客戶的高度關注,藉此制程平臺所具有的低功耗、高可靠度及卓越的數據保留和高耐久性的特性,可用于汽車、工業、消費者和物聯網的應用。我們很高興將這些產品進入大批量產,并正努力將這嵌入式閃存解決方案擴展到40納米的技術平臺,期待將SST的高速度和高可靠性優勢帶給東芝和其他晶圓專工客戶?!?/p>

    聯華電子堅實的分離式閘極內存單元SST制程,依據JEDEC所制定的規范標準,具100K耐久性和在85℃及工作溫度范圍為-40℃至125℃溫度下,數據可保存10 年以上。除40納米 SST制程外,還有20多家客戶使用該公司的55納米SST技術生產各類應用產品。


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