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  • 聯華電子與新思科技擴展14奈米FinFET的伙伴關系,
    納入的DesignWare嵌入式記憶體與測試解決方案

    繼新思科技的DesignWare邏輯庫與工具于聯華電子14奈米FinFET的制程成功完成第一個PQV測試,
    雙方持續攜手合作


    發表日期:2015-06-22
    重點摘要:

    ? 聯華電子與新思科技開發第二個聯電14奈米制程PQV測試,展現雙方公司持續不懈的努力,以及加速DesignnWare矽智財納入聯華電子14奈米FinFET器件制程的決心。


    ? 第二個聯華電子14奈米FinFET的制程PQV包含的DesignWare嵌入式記憶體與STAR的DesignWare記憶體系統


    ? 延續14奈米FinFET的制程PQV的成功,包含了新思科技的DesignWare邏輯庫矽智財以及StarRC寄生電路抽取工具(寄生參數提取工具),此次兩家公司繼續拓展合作關系


    聯華電子與新思科技今(22)日共同宣布,雙方拓展合作關系,于聯華電子14奈米第二個PQV測試晶片上納入新思科技的DesignWare嵌入式記憶體IP與DesignWare STAR記憶體系統測試與修復解決方案。此PQV提供了更多矽資料,可讓聯華電子進一步微調其14奈米FinFET的制程,以實現最佳化的功耗,效能與位面積表現。雙方已成功設計定案了第一個聯華電子14奈米FinFET的制程PQV,包含了新思科技的DesignWare邏輯庫與StarRC?寄生電路抽取工具(寄生參數提取工具),而此次PQV則繼續拓展伙伴關系。


    新思科技IP暨原型建造行銷副總裁約翰?Koeter指出:「新思科技與聯華電子擴展的合作關系展現了雙方共同的目標,也就是協助晶片設計公司在聯華電子制程上,將我們的DesignWare的矽智財結合到其系統單晶片設計上?,F已有超過45顆的FinFET測試晶片設計定案(流片),新思科技將持續傾全力致力于為的FinFET制程提供高品質矽智財,使晶片設計公司能夠降低整合風險,并加速量產時程?!?/p>

    聯華電子矽智財研發暨設計支援副總王國雍表示:「除了研發業界具競爭力的14奈米制程,以滿足當今最尖端晶片應用產品的需求外,聯華電子現正致力于建構相當完整的全方位支援架構,借此加速14奈米客戶設計中的速度。繼聯華電子與新思科技于14奈米制程上成功驗證PQV后,很高興在我們最先進的制程上與新思科技優質的DesignWare的矽智財繼續拓展合作。我們期待將這份伙伴關系所帶來的好處提供給雙方客戶,協助采用14奈米進行設計的客戶,能獲得功耗,效能與成本上的優勢?!?/p>

    聯華電子14奈米FinFET的制程已展現了卓越的128MB SRMA良率,預期于2015年年底接受客戶設計定案(出帶)。


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