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  • 聯華電子攜手ARM驗證聯華電子14奈米FinFET的制程
    基于聯華電子14奈米FinFET的制程實作之ARM核心Cortex?處理器核心測試晶片正式設計定案

    發表日期:2015-06-22

    全球晶圓專工大廠聯華電子今(22)宣布,與全球IP矽智財授權領導廠商ARM的合作基于聯華電子14奈米鰭式場效電晶體(FinFET器件)制程生產的PQV測試晶片已經設計定案(帶出來),代表的ARM Cortex-A系列處理器核心通過聯華電子高階晶圓制程驗證。此14奈米合作案延續自雙方成功將ARM Artisan?實體IP整合至聯華電子28奈米高介電金屬閘極(High K/Metal gate)量產制程。


    聯華電子14奈米FinFET的制程技術驗證,是聯華電子的FinFET制程啟動其他IP生態系統的第一步,包括基礎IP矽智財(IP基礎)和ARM處理器實體設計。


    聯華電子負責矽智財開發與設計支援的王國雍副總表示:「在聯華電子準備向客戶提供14奈米FinFET的制程之際,建立強大的設計支援基礎以強化14奈米平臺的整體效益是至關重要的。ARM是先進制程的IP矽智財全球領導供應商,我們很高興能夠延續先前的成功經驗,將工匠實體IP以及皮質處理器解決方案納入聯華電子14奈米制程?!?/p>

    聯華電子14奈米FinFET的制程已經展現卓越的128MB SRAM產品良率,并預計于2015年底接受客戶設計定案(出帶)。


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