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  • 聯華電子TSV技術進入量產階段,驅動的AMD Radeon R9怒X GPU絕佳效能
    矽穿孔技術可將記憶體與GPU結合,展現尖端效能

    發表日期:2015-07-20

    聯華電子今(20)日宣布,用于AMD旗艦級繪圖卡的Radeon?R9怒X的聯華電子矽穿孔(TSV)技術,已經進入量產階段,此產品屬于AMD近期上市的的Radeon?R 300繪圖卡系列。AMD的Radeon?R9怒X GPU采用了聯華電子TSV制程以及晶粒堆疊技術,在矽中介層上融合 連結AMD提供的HBM DRAM高頻寬記憶體及GPU,使其GPU能提供4096位元的超強記憶體頻寬,及遠超出現今GDDR5業界標準達4倍的每瓦性能表現。


    聯華電子市場行銷副總暨TSV技術委員會共同主席簡山杰表示:「AMD致力于將頂尖的GPU產品帶入市場,具有豐富的成功經驗。這次量產里程碑彰顯了我們與AMD在TSV技術上緊密合作下的成果,我們很榮幸能運用此技術的性能優勢,協助AMD強化其新一代GPU產品。展望未來,聯華電子期盼與AMD繼續攜手,延續這份成果豐碩的伙伴關系」。


    AMD資深院士(高級研究員)布萊恩黑色表示:「從開始研發以至量產階段,聯華電子皆采用創新技術打造客戶產品,這是AMD選擇聯華電子合作矽中介層及相關TSV技術的關鍵因素。聯華電子此次順利將TSV技術運用在AMD最新的高效能GPU上,再次證明了其堅實的專業能力。本公司很榮幸能擁有聯華電子作為我們的供應鏈伙伴,協助我們推出全新的Radeon系列產品?!?/p>

    AMD提供的GPU與HBM堆疊晶粒,皆置放于聯華電子TSV制程的中介層上,透過CMOS線路重布層(重分布層)與先進的微凸塊(微凸點)技術,這些晶片之間可于中介層彼此連通,因此得以實現的AMD Radeon?R9怒X絕佳的效能與位面積。AMD的TSV矽中介層技術系于聯華電子位于新加坡的12吋特殊技術晶圓廠的Fab12i上制造生產。


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